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龙图腾网恭喜天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116913983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311100519.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统是由杨庆贺;徐冠超设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括基底、第一钝化接触层和第二钝化接触层、第一钝化膜层和第一介质层、以及第一电极。第一钝化膜层层叠在第一钝化接触层、绝缘隔离槽内以及第二钝化接触层，第一钝化膜层对应各第一多晶硅掺杂导电层的区域均开设有第一贯穿槽，第一电极的一端穿过第一贯穿槽与第一多晶硅掺杂导电层欧姆接触；第一介质层覆盖第一钝化膜层，并覆盖第一钝化接触层上的第一区域；其中，第一区域是第一钝化接触层自第一贯穿槽露出的表面中，位于第一贯穿槽的侧壁和第一电极之间的区域。本发明中的太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统复合损失较小，效率较高。

本发明授权太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括基底、第一钝化接触层和第二钝化接触层、第一钝化膜层和第一介质层、以及第一电极； 所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层交替布置于所述基底的第一表面，所述第一钝化接触层包括第一多晶硅掺杂导电层，所述第二钝化接触层包括第二多晶硅掺杂导电层，所述第二多晶硅掺杂导电层的掺杂浓度大于所述第一多晶硅掺杂导电层，且掺杂类型与所述第一多晶硅掺杂导电层相反；各相邻的所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层之间均构造有绝缘隔离槽； 所述第一钝化膜层层叠在所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层的背离所述基底的一侧，并层叠在所述绝缘隔离槽内，所述第一钝化膜层对应各所述第一多晶硅掺杂导电层的区域均开设有第一贯穿槽，所述第一电极的一端穿过所述第一贯穿槽与所述第一多晶硅掺杂导电层欧姆接触； 所述第一介质层覆盖所述第一钝化膜层，并覆盖所述第一钝化接触层上的第一区域； 其中，所述第一区域是所述第一钝化接触层自所述第一贯穿槽露出的表面中，位于所述第一贯穿槽的侧壁和所述第一电极之间的区域。

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