恭喜湘潭大学潘俊安获国家专利权
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龙图腾网恭喜湘潭大学申请的专利一种表面改性的复合集流体、制备方法及电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117219784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311346057.2，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权一种表面改性的复合集流体、制备方法及电池是由潘俊安;李屹航;汪啸;李杰;潘勇;欧阳晓平设计研发完成，并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种表面改性的复合集流体、制备方法及电池在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种表面改性的复合集流体、制备方法及电池，所述方法包括：通过磁控溅射法在聚酰亚胺薄膜表面制备得到溅射金属层；通过喷雾法与低温干燥得到表面带有模板粒子的复合薄膜；通过电镀法在所述复合薄膜表面电镀得到电镀金属层；使用蚀刻法对复合薄膜进行模板粒子移除，得到表面改性的复合集流体；其中，所述表面改性的复合集流体表面具有球缺状金属空腔；如此，可以减小复合集流体表面与浆料之间的接触角，促进浆料在复合集流体表面的浸润，有利于提升电池的电化学性能。
本发明授权一种表面改性的复合集流体、制备方法及电池在权利要求书中公布了：1.一种表面改性的复合集流体的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 通过磁控溅射法在聚酰亚胺薄膜表面制备得到溅射金属层； 通过喷雾法及低温干燥得到表面带有模板粒子的复合薄膜； 通过电镀法在所述复合薄膜表面制备得到电镀金属层； 使用蚀刻法对复合薄膜进行模板粒子移除，得到表面改性的复合集流体；其中，所述表面改性的复合集流体表面具有球缺状金属空腔； 球缺边缘位置垂直于所述球缺状金属空腔的底部中心点与球心的直线的距离为开口半径L，所述开口半径与球缺边缘和球缺顶点所连线段之间的夹角为开口角θ；其中，开口半径的范围为0.5-2.5μm，开口角的范围为15-40°。
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