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龙图腾网恭喜山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司申请的专利一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117862112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410032589.7，技术领域涉及：B08B3/08；该发明授权一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺是由赵江伟;王新;韩佩鑫;田凤阁;陈克强;崔学军;黄书峰;王冠通设计研发完成，并于2024-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺。该工艺包括以下步骤：1硅片在有蜡抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸泡2‑10分钟，然后将硅片从陶瓷板上取下时，使硅片始终保持在双氧水中或通过喷淋双氧水的方式保持表面湿润；2上一步骤完成后的60分钟内，使用2个SC1、2个双氧水和2个超纯水对硅片进行去蜡清洗，清洗流程为：SC1‑超纯水‑双氧水‑SC1‑超纯水‑双氧水，SC1清洗时间2‑10分钟，双氧水清洗时间0.5‑10分钟；3在预清洗前硅片转入双氧水中保存，同时控制在120分钟内对硅片进行预清洗，将硅片由湿变干，再进行最终清洗。本发明能够极大降低沾污和腐蚀对硅片表面的影响，进而获得超高洁净度表面的硅抛光片。

本发明授权一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺，包括以下步骤： （1）硅片在有蜡抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸泡2-10分钟，该稀释双氧水的体积配比为H2O2:H2O=1:30~1:500； （2）在步骤（1）完成后的60分钟内，对硅片进行去蜡清洗，去蜡清洗使用2个1号液（SC1）、2个双氧水和2个超纯水，去蜡清洗工序为： a1号液（SC1）清洗，使用超声清洗，清洗时间为2-10分钟，1号液体积配比为NH4OH:H2O2:H2O=1:2:5~1:2:100，温度为30-80℃； b超纯水清洗，进行喷淋和快速排水1-3次； c双氧水清洗，体积配比为H2O2:H2O=1:30~1:500，清洗时间为0.5-10分钟； d1号液（SC1）清洗，使用兆声清洗，清洗时间为2-10分钟，1号液体积配比为NH4OH:H2O2:H2O=1:2:5~1:2:100，温度为30-80℃； e超纯水清洗，进行喷淋和快速排水1-3次； f双氧水清洗，体积配比为H2O2:H2O=1:30~1:500，清洗时间为0.5-10分钟； （3）去蜡清洗完成后，在预清洗开始前，硅片在稀释双氧水中保存，该稀释双氧水的体积配比为H2O2:H2O=1:30~1:500，同时控制在120分钟内对硅片进行预清洗，将硅片由湿变干，之后再进行最终清洗。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司，其通讯地址为：253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。