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龙图腾网恭喜北京智芯微电子科技有限公司申请的专利磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118330518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410307486.7，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片是由刘紫威;方东明;王蔓蓉;季润可;陶毅;王浩;孙恒超;闻志国;李良;杜君;王祥设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片，属于传感芯片技术领域。所述磁通门传感芯片的制作方法包括：分别在两片硅片上刻蚀出磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔，并至少在其中一片硅片上刻蚀出电极腔，两片硅片上的磁芯槽和通孔的位置相对应，两片硅片上的螺线管线圈槽的方向相反，所述电极腔与螺线管线圈槽连通；将两片硅片进行键合，使其形成闭合的磁芯槽和线圈结构；采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸，形成磁通门线圈，得到加工好的晶圆；将所述加工好的晶圆进行划片，得到磁通门传感芯片。避免使用电镀工艺，磁芯结构不受限，磁芯厚度可以比电镀工艺提高一个数量级，提高了磁通门传感器的检测灵敏度。

本发明授权磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片在权利要求书中公布了：1.一种磁通门传感芯片的制作方法，其特征在于，包括： 分别在两片硅片上刻蚀出磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔，并至少在其中一片硅片上刻蚀出电极腔，两片硅片上的磁芯槽和通孔的位置相对应，两片硅片上的螺线管线圈槽的方向相反，所述电极腔与螺线管线圈槽连通；其中，在每一片硅片上，所述螺线管线圈槽至少包括多条感应线圈槽和多条激励线圈槽，所述多条感应线圈槽和多条激励线圈槽分别横跨所述磁芯槽，所述通孔位于每条感应线圈槽和每条激励线圈槽的两端； 在所述磁芯槽、螺线管线圈槽表面和通孔内表面沉积绝缘层； 将磁芯放置在其中一片硅片上的磁芯槽中； 将两片硅片进行键合，使其形成闭合的磁芯槽和线圈结构； 采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸，形成磁通门线圈，得到加工好的晶圆； 将所述加工好的晶圆进行划片，得到磁通门传感芯片。

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