恭喜西安理工大学姜伊辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安理工大学申请的专利一种梯度结构HfB2/Cu-Hf-B铜基复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118563162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410651967.X,技术领域涉及:C22C9/00;该发明授权一种梯度结构HfB2/Cu-Hf-B铜基复合材料及其制备方法是由姜伊辉;高浩;张兴德;杨甜;梁淑华;曹飞;王艳芳设计研发完成,并于2024-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种梯度结构HfB2/Cu-Hf-B铜基复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种梯度结构HfB2Cu‑Hf‑B铜基复合材料,该梯度复合材料中心层由微米HfB2和Hf析出后形成的纳米Cu5Hf相组成,次表层由微米HfB2、纳米HfB2、纳米Cu5Hf析出相和B相组成,表层由B相组成,其中B相由里到外梯度增加,形成B梯度铜基复合材料。本发明还提供了梯度HfB2Cu‑Hf‑B铜基复合材料的制备方法,具体包含:气雾化制备前驱体HfB2Cu‑Hf和Cu‑B粉末、按配比混粉或球磨、热压烧结、形变热处理等。本发明所制备的铜基复合材料克服了传统均质块体材料表层组织在摩擦磨损过程中被严重破坏失效问题,通过表层设计具有高耐磨的梯度结构,制备出中心高强、表层耐磨的铜基复合材料。
本发明授权一种梯度结构HfB2/Cu-Hf-B铜基复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种梯度结构HfB2Cu-Hf-B铜基复合材料,其特征在于,中心层包括微米HfB2和Hf析出后形成的纳米Cu5Hf相,次表层包括微米HfB2、纳米HfB2、纳米Cu5Hf析出相和B相,表层包括B相,其中B相由里到外梯度增加,形成B梯度结构HfB2Cu-Hf-B铜基复合材料,B含量从中心层到表层呈梯度递增,具体为:制备梯度结构HfB2Cu-Hf-B铜基复合材料的前驱体粉末HfB2Cu-Hf:Cu-B比例由25:1向1:20梯度变化;所述梯度结构HfB2Cu-Hf-B铜基复合材料,按照质量百分比之和100%计,HfB2的质量百分数为0.5~8wt.%,B的质量分数为0~8wt.%,Hf的质量分数为0~1.5wt.%,余量为Cu。
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