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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种基于双面覆铝的碳化硅绝缘基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510220685.9，技术领域涉及：H01L23/14；该发明授权一种基于双面覆铝的碳化硅绝缘基板及其制备方法是由崔潆心;郭延奥;徐现刚;韩吉胜设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双面覆铝的碳化硅绝缘基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种基于双面覆铝的碳化硅绝缘基板及其制备方法。沿碳化硅绝缘基板的厚度方向，所述碳化硅绝缘基板从上至下依次设有第一碳化硅层、第二碳化硅层和第三碳化硅层；在第一碳化硅层、第二碳化硅层之间设有第一金属层，在第二碳化硅层、第三碳化硅层之间均设有第二金属层；在第一碳化硅层上设有上铜层，所述上铜层设有刻蚀位；在第三碳化硅层上设有下铜层。本发明在碳化硅绝缘基板上设置三层碳化硅层，每层碳化硅层之间设置金属层，使用碳化硅做绝缘层可实现降低芯片热应力和结温；在碳化硅绝缘层表面设置金属层，可降低热应力冲击，可防止芯片受到过大热应力而损坏，可提高模块的可靠性。

本发明授权一种基于双面覆铝的碳化硅绝缘基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双面覆铝的碳化硅绝缘基板，其特征在于，包括：沿碳化硅绝缘基板的厚度方向，所述碳化硅绝缘基板从上至下依次设有第一碳化硅层（1）、第二碳化硅层（2）和第三碳化硅层（3），第一碳化硅层（1）、第二碳化硅层（2）和第三碳化硅层（3）的厚度均为100μm；在第一碳化硅层（1）、第二碳化硅层（2）之间设有第一金属层（4），在第二碳化硅层（2）、第三碳化硅层（3）之间设有第二金属层（5），第一金属层（4）和第二金属层（5）的厚度均为50μm；在第一碳化硅层（1）上设有上铜层（6），所述上铜层（6）设有刻蚀位；在第三碳化硅层（3）上设有下铜层（7）；上铜层（6）和下铜层（7）的厚度均为300μm；第一金属层（4）和第二金属层（5）均为铝金属层。

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