恭喜中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学王洪获国家专利权
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龙图腾网恭喜中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011091531.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法是由王洪;刘晓艺;陈竟雄设计研发完成，并于2020-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法。所述器件包括AlGaNGaN异质结外延层，所述AlGaNGaN异质结外延层为凸台结构，凸台上方突起部分为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，不同掺杂浓度的p型GaN层位于有源区上表面的源电极和漏电极之间，其中，所述不同掺杂浓度的p型GaN层由不同掺杂浓度，但厚度相同的第一p型GaN和第二p型GaN沿栅宽前后排列形成，并且第一p型GaN的后表面和第二p型GaN的前表面相重合，左右边缘对齐；栅电极位于不同掺杂浓度的p型GaN层的上方。本发明提出的在栅极下放置不同掺杂浓度的p型GaN层的结构，有效地调制了器件的阈值电压，提高了器件的线性度。
本发明授权一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高线性GaN基毫米波器件，其特征在于，包括AlGaNGaN异质结外延层，所述AlGaNGaN异质结外延层为凸台结构，凸台上方突起部分为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，不同掺杂浓度的p型GaN层位于有源区上表面的源电极和漏电极之间，其中，所述不同掺杂浓度的p型GaN层由不同掺杂浓度，但厚度相同的第一p型GaN和第二p型GaN沿栅宽排列形成，栅电极位于不同掺杂浓度的p型GaN层的上方，栅电极的长度与第一p型GaN和第二p型GaN的长度相同。
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