恭喜华芯半导体研究院(北京)有限公司尧舜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华芯半导体研究院(北京)有限公司申请的专利新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112467517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011270985.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法是由尧舜;张颜儒;杨默;戴伟;常露;王青;李军;张杨设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法，包括依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、第一量子阱、P型布拉格反射镜、设置在缓冲层远离N型布拉格反射镜的至少部分表面上的第一反向电极、设置在P型布拉格反射镜远离N型布拉格反射镜的表面的边缘的正向电极、设置在正向电极以及正向电极未覆盖的P型布拉格反射镜的表面上的第二量子阱以及设置在第二量子阱远离P型布拉格反射镜的表面的边缘的第二反向电极。通过在最外层生长第二量子阱结构，使得对激光器件的调制不再是对激光器添加电激励，而是通过改变第二量子阱结构的特性来控制激光的出射，大大减小了激光器在接通电源时的驰豫振荡的影响，从而提高了芯片的性能。
本发明授权新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型调制高功率VCSEL芯片，其特征在于，包括：依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、第一量子阱和P型布拉格反射镜；第一反向电极，所述第一反向电极设置在所述缓冲层远离所述N型布拉格反射镜的至少部分表面上；正向电极，所述正向电极为环形，且所述正向电极设置在所述P型布拉格反射镜远离所述N型布拉格反射镜的表面的边缘；第二量子阱，所述第二量子阱设置在所述正向电极以及所述正向电极未覆盖的P型布拉格反射镜的表面上；第二反向电极，所述第二反向电极为环形，且所述第二反向电极设置在所述第二量子阱远离所述P型布拉格反射镜的表面的边缘；所述第二反向电极的环的宽度为3～10μm；所述正向电极的环的宽度为3～10μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华芯半导体研究院(北京)有限公司，其通讯地址为：100020 北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号