恭喜苏州晶湛半导体有限公司张丽旸获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116325192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080103793.3,技术领域涉及:H10H20/832;该发明授权光电器件及其制备方法是由张丽旸;程凯设计研发完成,并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种光电器件及其制备方法。该光电器件包括依次层叠设置第一半导体层、有源层、第二半导体层,所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反,所述第二半导体层中设有一层纳米金刚石结构,所述纳米金刚石结构与所述第二半导体层的导电类型相同。该光电器件的其制备方法用于制作该光电器件。本申请通过在第二半导体层中设置一层纳米金刚石结构,可以有效避免吸收有源层发出的UV光线,达到大幅度提升UVLED的光提取效率的有益效果。
本发明授权光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种光电器件,所述光电器件包括依次层叠设置第一半导体层、有源层、第二半导体层,所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反,其特征在于,所述第二半导体层中设有一层纳米金刚石结构,所述纳米金刚石结构与所述第二半导体层的导电类型相同;其中,所述第二半导体层包括沿竖直方向上依次层叠的第一平坦部和第二平坦部,所述第一平坦部叠设于所述有源层上,所述纳米金刚石结构设于所述第一平坦部上,所述第二平坦部设于所述纳米金刚石结构上。
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