恭喜台湾积体电路制造股份有限公司彭成毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和用于制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011431818.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件和用于制造半导体器件的方法是由彭成毅;李松柏设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和用于制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了在FET器件的源极漏极SD区域之间具有核‑壳纳米结构化沟道区域的半导体器件的结构，以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；纳米结构化层的堆叠件，具有设置在衬底上的第一和第二纳米结构化区域；以及包裹第二纳米结构化区域的纳米结构化壳区域。纳米结构化壳区域和第二纳米结构化区域具有彼此不同的半导体材料。半导体器件还包括设置在衬底上的第一和第二源极漏极SD区域以及设置在第一和第二SD区域之间的全环栅GAA结构。第一和第二SD区域中的每个包括包裹每个第一纳米结构化区域的外延区域，并且GAA结构包裹每个纳米结构化壳区域。
本发明授权半导体器件和用于制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；纳米结构化层的堆叠件，具有设置在所述衬底上的第一纳米结构化区域和第二纳米结构化区域；纳米结构化壳区域，包裹所述第二纳米结构化区域，其中，所述纳米结构化壳区域和所述第二纳米结构化区域具有彼此不同的半导体材料，并且其中，所述纳米结构化壳区域具有第一晶体取向的表面平面，并且所述第二纳米结构化区域具有不同于所述第一晶体取向的第二晶体取向的表面平面；第一源极漏极区域和第二源极漏极区域，设置在所述衬底上，其中，所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域中的每个包括包裹每个所述第一纳米结构化区域的外延区域；以及全环栅结构，设置在所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域之间并且包裹每个所述纳米结构化壳区域。
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