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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110937532.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制作方法是由邵光速;肖德元;白卫平;邱云松设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，制作方法包括：提供包括多个间隔排布的半导体层和位于相邻半导体层之间的隔离层，半导体层和隔离层内具有沟槽，沟槽包括依次分布的第一区、第二区和第三区；在第一区和第二区的沟槽内壁形成牺牲层；在牺牲层表面形成填充满沟槽的绝缘层；去除第二区的牺牲层和第一厚度的隔离层以形成环绕半导体层的孔隙；在露出的半导体层侧壁形成栅介质层；在沿第一区指向第三区的方向上，在栅介质层上依次堆叠形成第一栅电极层和第二栅电极层，第一栅电极层还位于剩余隔离层顶面，第二栅电极层的功函数值与第一栅电极层的功函数值不同。本申请实施例有利于降低半导体结构中漏极泄漏电流。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，提供基底，所述基底包括多个间隔排布的半导体层以及位于相邻所述半导体层之间的隔离层，所述半导体层以及所述隔离层内具有沟槽，所述半导体层沿第一方向延伸，所述沟槽沿第二方向延伸，且所述沟槽沿第一方向间隔设置，所述第二方向与所述第一方向不同，所述沟槽包括自所述沟槽底部指向所述沟槽顶部方向依次分布的第一区、第二区和第三区；在所述第一区和所述第二区的所述沟槽内壁形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成填充满所述沟槽的绝缘层，且所述绝缘层还露出所述隔离层的至少部分表面；去除所述第二区的所述牺牲层，且去除第一厚度的所述隔离层，以形成环绕所述半导体层的孔隙，所述孔隙露出所述半导体层的部分侧壁；在露出的所述半导体层的侧壁形成栅介质层；在部分所述栅介质层上形成第一栅电极层，所述第一栅电极层还位于剩余所述隔离层顶面；在剩余所述栅介质层上形成第二栅电极层，所述第二栅电极层的功函数值与所述第一栅电极层的功函数值不同，且所述第一栅电极层以及所述第二栅电极层在沿所述第一区指向所述第三区的方向上堆叠。

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