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龙图腾网恭喜江阴润玛电子材料股份有限公司申请的专利一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116240025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211621245.7，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法是由何珂;戈烨铭;白雪设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液，其包含硝酸、亚硝酸盐、氟化氢铵、含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐、硅化合物、表面活性剂，余量为去离子水。还提供了制备所述集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液的方法。

本发明授权一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低张力高选择性硅蚀刻液，其特征在于，其中各组分的量为：20-30wt％硝酸、3-5wt％亚硝酸盐、3-6wt％氟化氢铵、0.05-0.5wt％含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐、0.01-5wt％硅化合物、0.1-0.5wt％表面活性剂，余量为去离子水；所述亚硝酸盐包括亚硝酸、亚硝酸铵、亚硝酸钠、亚硝酸钾、亚硝酸四丁胺中的至少一种；所述含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐包括1-2-乙基脲吡啶四氟硼酸盐，所述含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐包括1-乙基脲-3-甲基苯并咪唑四氟硼酸盐；所述硅化合物包括甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷中的至少一种；所述表面活性剂包括聚氧乙烯、蓖麻油、二甘醇胺、月桂醇硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、甘胆酸钠、单月桂基磷酸酯及其相应的钠盐中的至少一种；所述硅蚀刻液的制备方法，其包括将20-30wt％硝酸、3-5wt％亚硝酸盐、3-6wt％氟化氢铵、0.05-0.5wt％含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐、0.01-5wt％硅化合物、0.1-0.5％表面活性剂以及使组合物总重量成为100wt％的余量的水进行混合的步骤。

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