恭喜东莞理工学院王安祺获国家专利权
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龙图腾网恭喜东莞理工学院申请的专利一种基于单原子层的Ti4O7复合电极及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116409855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310036921.2,技术领域涉及:C02F1/461;该发明授权一种基于单原子层的Ti4O7复合电极及其制备方法是由王安祺;温宇锴;孟翠琳;刘星鑫设计研发完成,并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于单原子层的Ti4O7复合电极及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及复合电极技术领域,公开了一种基于单原子层的Ti4O7复合电极及其制备方法;本发明提供了一种基于单原子层的Ti4O7复合电极的制备方法,这种复合电极对全氟多氟化合物具有良好的去除率和脱氟率。使用MXene量子点修饰Ti4O7电极能够有效增强界面电子转移效率及其机械性能,并有效抑制电极表面钝化。将金属原子以单层结构的形式锚定在富有缺陷的Ti4O7电极上,可以保持100%的金属利用效率,并且克服了金属原子易团聚的缺点。
本发明授权一种基于单原子层的Ti4O7复合电极及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于单原子层的Ti4O7复合电极的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:将Ti4O7粉末和Ti3C2MXene量子点溶液混合均匀,加热蒸干,干燥,得到Ti4O7混合粉末;S2:将Ti4O7混合粉末高温烧结,得到Ti4O7复合电极;S3:将Ti4O7复合电极在还原气氛下煅烧,得到高密度缺陷Ti4O7复合电极;S4:将单原子前驱体溶液滴加到高密度缺陷Ti4O7复合电极两面,干燥,煅烧,得到单原子Ti4O7复合电极;S5:将单原子Ti4O7复合电极在还原气氛下煅烧,得到单原子层Ti4O7复合电极。
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