恭喜江苏鑫华半导体科技股份有限公司张天雨获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116119671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310114726.7，技术领域涉及：C01B33/037；该发明授权超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途是由张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;崔会为设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途在说明书摘要公布了：本发明公开了超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途。该方法包括如下步骤：1将多晶硅棒加热至1000～1200℃，并保温不小于4h；2采用气冷法将保温后的所述多晶硅棒冷却至800～900℃，冷却速率为20～30℃min；3采用气冷法将所述多晶硅棒继续冷却至500～600℃，冷却速率大于30℃min；4采用自然冷却法或水冷法将所述多晶硅棒继续冷却至常温；5对冷却至常温的多晶硅棒进行破碎处理，并对破碎后的产物进行清洗，得到提纯后的电子级多晶硅，其中，步骤1～3均在惰性气氛下进行。采用该方法既可以显著降低多晶硅杂质含量，还能降低多晶硅的晶体结构缺陷，同时易于操作，便于工业化生产。
本发明授权超高纯电子级多晶硅的提纯方法及其用途在权利要求书中公布了：1.一种超高纯电子级多晶硅的提纯方法，其特征在于，包括：1将多晶硅棒加热至1000～1200℃，并保温不小于4h；2采用气冷法将保温后的所述多晶硅棒冷却至800～900℃，冷却速率为20～30℃min；3采用气冷法将所述多晶硅棒继续冷却至500～600℃，冷却速率为40～50℃min；4采用自然冷却法或水冷法将所述多晶硅棒继续冷却至常温；5对冷却至常温的多晶硅棒进行破碎处理，并对破碎后的产物进行清洗，得到提纯后的电子级多晶硅，其中，步骤1～3均在惰性气氛下进行。
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