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龙图腾网恭喜安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116131102B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310142347.9，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件是由李水清;王星河;蔡鑫;刘紫涵;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;刘鑫建;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有量子限制斯塔克调控层；量子限制斯塔克调控层利用电流诱导铁电相变极化效应，使激光器在电流注入条件下产生磁致伸缩和铁谷耦合效应调控应变场和极化方向翻转，调制激光器的压电极化和自发极化场，减少量子限制斯塔克效应，降低激光元件的价带带阶，提升空穴注入的均匀性和激光增益均匀性，提升激光器有源层的电子空穴波函数的交叠几率，增强激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的峰值增益。

本发明授权一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：有源层（103）与上波导层（104）之间和有源层（103）与下波导层之间设有量子限制斯塔克调控层（107），所述量子限制斯塔克调控层（107）利用电流诱导铁电相变极化效应，使激光器在电流注入条件下产生磁致伸缩和铁谷耦合效应调控应变场和极化方向翻转，调制激光器的压电极化和自发极化场，减少量子限制斯塔克效应，降低激光元件的价带带阶，提升空穴注入的均匀性和激光增益均匀性，提升激光器有源层的电子空穴波函数的交叠几率，增强激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的峰值增益，同时，量子限制斯塔克调控层产生畴壁运动和晶格位移诱导的反铁电-铁电相变，抑制有源层InN相分离和偏析，降低In组分涨落，改善界面质量，降低非辐射复合中心，提升激光功率和斜率效率。

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