买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利高关断能力的功率半导体器件以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510372595.1，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权高关断能力的功率半导体器件以及制备方法是由王耀华;魏晓光;苑广安;刘瑞;李玲;唐新灵;李立;高明超设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本高关断能力的功率半导体器件以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及报半导体技术领域，公开一种高关断能力的功率半导体器件以及制备方法，所述器件包括：单元胞结构，包括：形成依次层叠的阳极结构、基区结构、阴极结构、门极结构，基区结构包括浮结区，该浮结区与基区结构的掺杂类型相反，浮结区包括上平台区、下平台区以及连接两平台区的波状区，浮结区采用局部辐照并通过金属挡板在基区结构中形成且用于将阳极结构与阴极结构之间路径上的电流分流至阴极结构与门极结构之间的区域及在该区域以动态雪崩方式促进载流子的重新分布。本发明可减小阴极结构外侧边缘处的基区横向压降，以达到阴极结构与门极结构快速换流的效果，有效防止因局部电流的汇聚出现重触发而导致器件击穿，有效提高器件的关断能力。

本发明授权高关断能力的功率半导体器件以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高关断能力的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：单元胞结构，所述单元胞结构包括：形成依次层叠的阳极结构、基区结构、阴极结构、门极结构，其中，所述基区结构包括浮结区，所述浮结区的掺杂类型与所述基区结构的掺杂类型相反，且所述浮结区包括上平台区、下平台区以及用于连接所述上平台区与所述下平台区的波状区，其中所述上平台区与所述下平台区在沿层叠方向的投影不相互交叠，其中，所述浮结区采用局部辐照方式并通过金属挡板在所述基区结构中形成，以及其中，所述浮结区，用于将所述阳极结构与所述阴极结构之间路径上的电流分流至所述阴极结构与所述门极结构之间的区域，并且在所述阴极结构与所述门极结构之间的区域以动态雪崩方式促进载流子的重新分布。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101499 北京市怀柔区杨雁东一路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。