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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利芯片的封装结构和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510372581.X，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片的封装结构和半导体器件是由王亮;唐新灵;代安琪;林仲康;韩荣刚;李玲;田延忠;郝炜设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片的封装结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种芯片的封装结构和半导体器件；该芯片的封装结构包括阴极电极和动态均压模块；阴极电极叠放于芯片上，阴极电极分割成多个压力补偿区域；动态均压模块设于阴极电极背离芯片的一侧并具有封闭空腔，封闭空腔内填充有弹性缓冲物质，封闭空腔内设有与多个压力补偿区域均电连接的多个动态插入电极，动态均压模块的外端部与外部管壳阴极密封电连接。当采用本申请的技术方案在对芯片与管壳进行封装时，通过在阴极电极上设置具有封闭空腔的动态均压模块，能够利用封闭空腔内部的缓冲物质来实现对于芯片封装过程中的压力补偿，进行动态的压力调节，均匀了金属电极之间的压力。

本发明授权芯片的封装结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种芯片的封装结构，其特征在于，所述芯片的封装结构包括：阴极电极（101），叠放于所述芯片（100）上并与所述芯片（100）电连接，所述阴极电极（101）分割成多个压力补偿区域（1011）；动态均压模块（200），设于所述阴极电极（101）背离所述芯片（100）的一侧并具有封闭空腔（23），所述封闭空腔（23）内填充有弹性缓冲物质，所述封闭空腔（23）内设有与多个所述压力补偿区域（1011）均一一对应电连接的多个动态插入电极（24），所述动态均压模块（200）的外端部与外部管壳阴极（102）密封连接；所述动态均压模块（200）包括：导电垫片（22），位于所述设于所述阴极电极（101）背离所述芯片（100）的一侧，所述导电垫片（22）背离所述芯片（100）的一侧敞口设置，所述动态插入电极（24）通过所述导电垫片（22）与所述压力补偿区域（1011）电连接；金属板（21），封盖于所述敞口处，所述金属板（21）和所述导电垫片（22）配合形成所述封闭空腔（23），所述金属板（21）背离所述封闭空腔（23）的一侧表面与外部散热器接触。

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