恭喜索尼半导体解决方案公司山川真弥获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利固态摄像元件和摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112868102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980067928.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权固态摄像元件和摄像装置是由山川真弥设计研发完成，并于2019-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态摄像元件和摄像装置在说明书摘要公布了：一种固态摄像元件，包括：第一基板，其包括光电转换部和电连接到所述光电转换部的传输晶体管；第二基板，其布置为与所述第一基板相对并且包括输出晶体管，所述输出晶体管包括栅电极、布置为与所述栅电极相对的第一导电类型的沟道区域以及与所述沟道区域相邻的所述第一导电类型的源极‑漏极区域；和驱动电路，所述驱动电路允许由所述光电转换部产生的信号电荷经由所述传输晶体管和所述输出晶体管输出。
本发明授权固态摄像元件和摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种固态摄像元件，包括：第一基板，所述第一基板包括光电转换部和电连接到所述光电转换部的传输晶体管；第二基板，所述第二基板设置成与所述第一基板相对并且包括输出晶体管，所述输出晶体管包括栅电极、布置成与所述栅电极相对的第一导电类型的沟道区域以及与所述沟道区域相邻的所述第一导电类型的源极-漏极区域；和驱动电路，所述驱动电路允许在所述光电转换部中产生的信号电荷经由所述传输晶体管和所述输出晶体管输出，其中所述栅电极包括第一面和相对的第二面以及连接所述第一面和所述第二面的第三面，所述沟道区域介于所述第一面与所述第二面之间，其中所述沟道区域在深度方向上的尺寸大于所述源极-漏极区域在所述深度方向上的尺寸，其中所述沟道区域在所述深度方向上的尺寸的一半以上被所述第一面和所述第二面覆盖，其中所述沟道区域的杂质浓度为5×1017cm-3～1×1019cm-3，并且其中所述沟道区域的在深度方向上的尺寸为约50nm～500nm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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