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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110743295.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体元件的制造方法是由罗威扬;程潼文;詹佳玲;林木沧设计研发完成，并于2016-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体元件的制造方法。方法包含形成虚设栅极于半导体鳍片的通道部位上方；沉积氧化物层于虚设栅极以及半导体鳍片上方；沉积氮硅化物层于氧化物层上方；掺杂氮硅化物层以于氮硅化物层中形成富掺杂层；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中之后，形成多个轻掺杂漏极区域于半导体鳍片的未覆盖部位；图案化氮硅化物层以及氧化物层以形成一对栅极间隙壁于虚设栅极的相对的两侧壁上，其中轻掺杂漏极区域中的一者的一顶部位所具有的掺杂浓度是高于该对栅极间隙壁中的一者的底部位所具有的掺杂浓度，轻掺杂漏极区域中的该者的底部位所具有的掺杂浓度是低于该对栅极间隙壁中的该者的底部位所具有的掺杂浓度。

本发明授权半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：形成一虚设栅极于一半导体鳍片的一通道部位上方，其中该半导体鳍片的多个未覆盖部位自该虚设栅极暴露出；沉积一氧化物层于该虚设栅极以及该半导体鳍片上方；沉积一氮硅化物层于该氧化物层上方；执行一等离子离子辅助沉积制程以沉积一富掺杂层于该氮硅化物层上；将该富掺杂层中的一掺杂物撞击至该氮硅化物层以及该氧化物层中；将该富掺杂层中的该掺杂物撞击至该氮硅化物层以及该氧化物层中之后，形成多个轻掺杂漏极区域于该半导体鳍片的该些未覆盖部位；图案化该氮硅化物层以及该氧化物层以形成一对栅极间隙壁于该虚设栅极的相对的两侧壁上，其中该些轻掺杂漏极区域中的一者的一顶部位所具有的一掺杂浓度是高于该对栅极间隙壁中的一者的一底部位所具有的一掺杂浓度，该些轻掺杂漏极区域中的该者的一底部位所具有的一掺杂浓度是低于该对栅极间隙壁中的该者的该底部位所具有的该掺杂浓度；移除该半导体鳍片中未被该虚设栅极以及该对栅极间隙壁覆盖的多个部位以于该半导体鳍片中形成多个凹陷部位，其中该些凹陷部位位于该虚设栅极的相对两侧；磊晶形成多个磊晶结构于该半导体鳍片的该些凹陷部位上；移除该虚设栅极以形成一开口于该对栅极间隙壁之间；以及形成一栅极结构于该对栅极间隙壁之间的该开口。

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