恭喜长江存储科技有限责任公司郭芳芳获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利一种套刻偏差的确定方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114927503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210518381.7,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权一种套刻偏差的确定方法及系统是由郭芳芳;陆聪;李伟;卢绍祥;轩攀登设计研发完成,并于2020-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种套刻偏差的确定方法及系统在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种套刻偏差的确定方法及系统,其中,所述方法包括:在对每一层晶圆进行光刻工艺的过程中,在光罩图案上的每个晶粒内,沿着单元阵列区域的边线的中部设置套刻标记;在进行套刻对准操作时,通过测量设备对当前层的套刻标记与所述当前层的前一层的套刻标记进行量测,确定所述当前层与所述前一层的套刻偏差。
本发明授权一种套刻偏差的确定方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括多个单元阵列区域,围绕所述单元阵列区域具有边线,沿着各所述单元阵列区域的边线设置有套刻标记;其中,所述半导体器件包括晶粒,所述晶粒包括多个所述单元阵列区域;所述多个套刻标记设置在各单元阵列区域的边线的中部;相邻的两个所述单元阵列区域存在邻近的两条边线;所述邻近的两条边线中的一条边线设置有所述套刻标记。
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