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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010850307.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其形成方法是由黄麟淯;王圣璁;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请一方面提供一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍部上方形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述鳍部在衬底之上突出；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替换所述第一伪栅极和所述第二伪栅极；在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间形成介电切割图案，与所述第一金属栅极和所述第二金属栅极相比，所述介电切割图案从所述衬底延伸得更远；在所述第一金属栅极、所述第二金属栅极、以及所述介电切割图案上方形成图案化的掩模层，所述图案化的掩模层中的开口暴露出所述开口下面的所述第一金属栅极的一部分、所述第二金属栅极的一部分、以及所述介电切割图案的一部分；用第一导电材料填充所述开口；以及使所述第一导电材料凹进到所述介电切割图案的上表面的下方。本申请另一方面提供一种半导体器件。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍部上方形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述鳍部在衬底之上突出；在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极周围形成介电层，分别用第一金属栅极和第二金属栅极替换所述第一伪栅极和所述第二伪栅极，第三介电材料位于所述第一金属栅极上和所述第二金属栅极上，所述第一金属栅极和所述第二金属栅极低于所述介电层的顶面；在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间形成介电切割图案，与所述第一金属栅极和所述第二金属栅极相比，所述介电切割图案从所述衬底向上延伸得更高；在所述第一金属栅极、所述第二金属栅极、以及所述介电切割图案上方形成图案化的掩模层，所述图案化的掩模层中的开口暴露出所述开口下面的所述第一金属栅极的一部分、所述第二金属栅极的一部分、以及所述介电切割图案的一部分；用第一导电材料填充所述开口；以及使所述第一导电材料凹进到所述介电切割图案的远离所述衬底的上表面的下方，其中，所述凹进使得填充在所述开口中的所述第一导电材料，被分隔成位于所述第一金属栅极上方的第一接触插塞和位于所述第二金属栅极上方的第二接触插塞。

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