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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114330181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011062989.0，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权设计方法是由翁坤设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本设计方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种设计方法，应用于多个预设电容单元组成的电容阵列，预设电容单元包括多个单元电容，包括：获取预设电容单元的单元仿真模型；基于电容阵列中预设电容单元的排布方式，以及各预设电容单元的单元仿真模型，获取电容阵列的第一仿真模型；基于预设电容单元的排布方式，获取预设电容单元的排布方向，并建立在相同排布方向上的一组预设电容单元的寄生电阻等效测试结构；基于寄生电阻等效测试结构，获得各预设电容单元的寄生电阻；基于各预设电容单元的寄生电阻以及第一仿真模型，建立表征电容阵列的第二仿真模型；本发明实施例提供一种精确的电容器件模型，以提高半导体存储器的仿真结果的准确性和可靠性。

本发明授权设计方法在权利要求书中公布了：1.一种设计方法，应用于多个预设电容单元组成的电容阵列，所述预设电容单元包括多个单元电容，其特征在于，包括：获取所述预设电容单元的单元仿真模型，所述单元仿真模型用于表征所述预设电容单元的电容值；基于所述电容阵列中所述预设电容单元的排布方式，以及各所述预设电容单元的单元仿真模型，获取所述电容阵列的第一仿真模型，所述第一仿真模型用于表征所述电容阵列中各所述预设电容单元的电容值，以及所述预设电容单元的排布方式；基于所述预设电容单元的排布方式，获取所述预设电容单元的排布方向，并建立在相同排布方向上的一组所述预设电容单元的寄生电阻等效测试结构；基于所述寄生电阻等效测试结构，获得各所述预设电容单元的寄生电阻；基于各所述预设电容单元的寄生电阻以及所述第一仿真模型，建立表征所述电容阵列的第二仿真模型。

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