恭喜长沙理工大学谢海情获国家专利权
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龙图腾网恭喜长沙理工大学申请的专利一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112234102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011158953.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管是由谢海情;蔡稀雅;范志强;刘刚;崔凯月设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅电极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用二维金属相二硫化钼MoS2材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层；中间沟道散射区域采用二维SiC材料。本发明采用二维SiC材料作为衬底，二维MoS2材料作为源、漏电极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度小于5.1nm时，器件关态电流小于0.1μAμm，实现正常关断；开态电流不小于940μAμm，满足国际半导体技术路线图ITRS的高性能要求。
本发明授权一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：包括源、漏电极，栅极，氧化层和沟道材料为二维SiC的中间散射区域，其中，源、漏电极为金属相单层MoS2材料，栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅两部分，顶栅和背栅与沟道区域之间均包含一个氧化层，源极和漏极之间的偏压为VDS，栅极电压为VGS，Z方向为电子输运方向。
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