恭喜华邦电子股份有限公司周信宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体存储器结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011247224.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体存储器结构的形成方法是由周信宏;林宗玮;蔡高财设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体存储器结构的形成方法，包含依序形成主动层、硬遮罩层、以及核心层于基底之上、以及刻蚀核心层以形成核心图案。核心图案包含第一长条、第二长条、以及抵接第一长条和第二长条的多个支撑部件。此方法还包含形成间隔物层于核心图案旁边、移除核心图案、形成光阻图案于间隔物层上方、使用光阻图案和间隔物层，刻蚀硬遮罩层以形成硬遮罩图案、以及将硬遮罩图案转移至主动层以形成栅极堆迭。
本发明授权半导体存储器结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：依序形成一主动层、一硬遮罩层、以及一核心层于一基底之上；刻蚀该核心层以形成一核心图案，其中该核心图案包括一第一长条、一第二长条、以及抵接该第一长条和该第二长条的多个支撑部件；形成一间隔物层于该核心图案旁边；移除该核心图案；形成一光阻图案于该间隔物层上方；使用该光阻图案和该间隔物层，刻蚀该硬遮罩层以形成一硬遮罩图案；以及将该硬遮罩图案转移至该主动层以形成一栅极堆迭，其中形成该间隔物层的步骤包括：形成一顺应层沿着该核心图案且填充该第一长条、该第二长条与该支撑部件界定出的多个开口；以及刻蚀该顺应层，其中该间隔物层包括：一第一间隔物，形成于该第一长条的一第一侧；一第二间隔物，形成于该第二长条的一第二侧；以及多个第三间隔物，填充所述多个开口。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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