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龙图腾网恭喜力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利电容集成结构、电容单元及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110170859.7，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权电容集成结构、电容单元及其制造方法是由林维昱;叶国裕设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容集成结构、电容单元及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种电容集成结构、电容单元及其制造方法，其中，该电容单元的制造方法包括在具有绝缘层的基板上形成多个电容堆叠结构，针对形成于相邻两个电容堆叠结构之间的绝缘间隔部执行第一切割工艺，以形成外露各电容堆叠结构的第一导电部分和第二导电部分的多个凹槽；利用金属材料填充各凹槽，以形成与第一导电部分、第二导电部分电连接的多个金属间隔部；再针对各金属间隔部执行第二切割工艺以形成独立的多个电容单元，且于各电容单元的相对两侧分别形成金属侧壁，而构成具有两端电极的电容单元。由此，不需在电容单元中的各电容堆叠结构中，额外增设电连接各层导电部分的电性导接孔结构，而可以简化电容单元内部各层导电部分的电连接制作工艺。

本发明授权电容集成结构、电容单元及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容单元的制造方法，包括：提供基板；形成绝缘层于该基板上；形成多个电容堆叠结构于该绝缘层上，在相邻两个该电容堆叠结构之间形成有一绝缘间隔部，且各该电容堆叠结构各自具有第一焊垫、第一导电部分、第二焊垫和第二导电部分；针对各该绝缘间隔部执行第一切割工艺，以形成外露各该电容堆叠结构的该第一导电部分和该第二导电部分的多个凹槽；利用金属材料填充各该凹槽，以形成与该第一导电部分、该第二导电部分电连接的多个金属间隔部；针对各该金属间隔部执行第二切割工艺以形成独立的多个电容单元，且于各该电容单元的相对两侧分别形成第一金属侧壁和第二金属侧壁；其中，在各该电容单元中，该第一焊垫通过该第一金属侧壁与该第一导电部分电连接而构成第一电极，该第二焊垫通过该第二金属侧壁与该第二导电部分电连接而构成第二电极。

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