恭喜长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110955818.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由郭帅设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括基底及初始沟槽，初始沟槽暴露部分有源区结构；形成电容接触结构，电容接触结构覆盖暴露出的部分有源区结构，电容接触结构包括第一凹槽；形成金半接触结构，金半接触结构至少覆盖电容接触结构的顶面并填充第一凹槽；形成阻挡结构，阻挡结构覆盖金半接触结构和初始沟槽的暴露的侧壁；形成导电结构，导电结构通过金半接触结构和电容接触结构连接。本公开的半导体结构的制作方法及半导体结构，金半接触结构作为电容接触结构和导电结构电连接的中间过渡结构，减小电容接触结构和导电结构的接触电阻。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供初始结构，所述初始结构包括基底以及设置在所述基底上的多条位线结构，相邻的所述位线结构之间形成初始沟槽，所述基底包括有源区结构，所述初始沟槽暴露部分所述有源区结构；形成电容接触结构，所述电容接触结构覆盖暴露出的部分所述有源区结构，所述电容接触结构包括第一凹槽；形成金半接触结构，所述金半接触结构至少覆盖所述电容接触结构的顶面并填充所述第一凹槽；形成阻挡结构，所述阻挡结构覆盖所述金半接触结构和所述初始沟槽的暴露的侧壁；形成导电结构，所述导电结构覆盖所述阻挡结构并填充未被填充的所述初始沟槽，所述导电结构通过所述金半接触结构和所述电容接触结构连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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