恭喜长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110995019.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由卢经文设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，方法包括：提供基底；刻蚀基底，以在基底中形成多个沿第一方向延伸的位线凹槽；在多个位线凹槽中依次形成第一隔离层、位线金属线层、位线导电连接层和第一绝缘层，得到位线结构；刻蚀形成位线结构的基底，得到多个间隔设置的有源区结构和第一凹槽；其中，位线结构分别与多个有源区结构相交；在第一凹槽中填充第二隔离层，得到第一结构；刻蚀第一结构，以在第一结构中形成沿第一方向的垂直方向延伸的多个字线凹槽；在多个字线凹槽中依次形成第三隔离层、字线导电连接层和第二绝缘层。如此，能够提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；刻蚀所述基底，以在所述基底中形成多个沿第一方向延伸的位线凹槽；在多个所述位线凹槽中依次形成第一隔离层、位线金属线层、位线导电连接层和第一绝缘层，得到位线结构；刻蚀形成所述位线结构的所述基底，得到多个间隔设置的有源区结构和第一凹槽；其中，所述位线结构分别与多个有源区结构相交；在所述第一凹槽中填充第二隔离层，得到第一结构；刻蚀所述第一结构，以在所述第一结构中形成沿所述第一方向的垂直方向延伸的多个字线凹槽；在多个所述字线凹槽中依次形成第三隔离层、字线导电连接层和第二绝缘层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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