恭喜上海华力集成电路制造有限公司谢磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利高压MOS管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111049362.6，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权高压MOS管及其制造方法是由谢磊;何志斌设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压MOS管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压MOS管的制造方法，包括：提供一衬底，其中形成有浅沟道隔离结构，并且其表面还形成有衬垫氧化层；形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层、所述衬垫氧化层、所述浅沟道隔离结构和所述衬底以在所述浅沟道隔离结构和所述衬底中得到台阶式沟槽以及在所述台阶式沟槽中形成栅氧化层。本申请通过同时刻蚀高压器件区域的衬底和浅沟道隔离结构形成台阶式沟槽，使得在台阶式沟槽中沉积的栅氧化层的顶表面与其周围其他器件中压、低压器件区域的栅氧化层的顶表面趋于齐平，进而改善后续栅氧化层上方形成的伪多晶硅栅的高度均匀性，避免了在后续ILD0CMP工艺中高压器件区域的伪多晶硅栅被过分误研磨的情况，从而保证了金属栅极的完整。
本发明授权高压MOS管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压MOS管的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构周围的所述衬底表面形成有衬垫氧化层；形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述浅沟道隔离结构和所述衬垫氧化层；刻蚀所述掩膜层和所述衬垫氧化层以露出部分所述衬底和部分所述浅沟道隔离结构；刻蚀所述浅沟道隔离结构和所述衬底以在所述浅沟道隔离结构和所述衬底中形成台阶式沟槽；以及，形成栅氧化层，所述栅氧化层填充所述台阶式沟槽至与所述衬垫氧化层顶表面齐平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号