恭喜长鑫存储技术有限公司吴小飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利封装方法、封装结构及封装模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111079788.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权封装方法、封装结构及封装模块是由吴小飞设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装方法、封装结构及封装模块在说明书摘要公布了：本申请提供了一种封装方法、封装结构、及封装模块，以避免在芯片的周围产生空隙。所述封装方法包括：提供基板，所述基板具有电连接层；提供待封装裸片，所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘；将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上；在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层；执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料。上述技术方案，通过在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层之后，有利于后续材料沉积在曲面侧墙层，使塑料能够更好的填充在待封装裸片的周围，避免在待封装裸片的周围产生空隙。
本发明授权封装方法、封装结构及封装模块在权利要求书中公布了：1.一种封装方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板具有电连接层；提供待封装裸片，所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘；将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上；在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层；执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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