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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利高亮发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210313811.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权高亮发光二极管芯片及其制备方法是由刘小星;尹灵峰;张威;魏柏林;卫婷;马国强设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本高亮发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种高亮发光二极管芯片及其制备方法。该高亮发光二极管芯片包括：衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、电流阻挡层、透明导电层、第一电极和第二电极；衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层和电流阻挡层依次层叠，透明导电层位于电流阻挡层表面且延伸至第二半导体层表面，第二电极位于透明导电层的表面，第二电极在衬底上的正投影位于电流阻挡层位于衬底上的正投影内，第一电极与第一半导体层相连；第二电极包括焊盘和手指条，手指条的一端与焊盘相连，从焊盘至手指条的方向上，电流阻挡层在垂直于衬底的承载面的方向上的厚度逐渐减小。本公开能改善电极上与外接电路连接的焊盘易损坏的问题，提升芯片的可靠性。

本发明授权高亮发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高亮发光二极管芯片，其特征在于，所述高亮发光二极管芯片包括：衬底（10）、第一半导体层（21）、发光层（22）、第二半导体层（23）、电流阻挡层（30）、透明导电层（40）、第一电极（51）和第二电极（52）；所述衬底（10）、所述第一半导体层（21）、所述发光层（22）、所述第二半导体层（23）和所述电流阻挡层（30）依次层叠，所述透明导电层（40）位于所述电流阻挡层（30）表面且延伸至所述第二半导体层（23）表面，所述第二电极（52）位于所述透明导电层（40）的表面，所述第二电极（52）在所述衬底（10）上的正投影位于所述电流阻挡层（30）位于所述衬底（10）上的正投影内，所述第一电极（51）与所述第一半导体层（21）相连；所述第二电极（52）包括焊盘（521）和手指条（522），所述手指条（522）的一端与所述焊盘（521）相连，从所述焊盘（521）至所述手指条（522）的方向上，所述电流阻挡层（30）在垂直于所述衬底（10）的承载面的方向上的厚度逐渐减小；所述电流阻挡层（30）包括相连的块状区（31）和条状区（32），所述第二电极（52）的焊盘（521）在所述衬底（10）上的正投影位于所述块状区（31）在所述衬底（10）上的正投影内，所述第二电极（52）的手指条（522）在所述衬底（10）上的正投影位于所述条状区（32）在所述衬底（10）上的正投影内；所述电流阻挡层（30）远离所述衬底（10）的表面为平面，且所述电流阻挡层（30）远离所述衬底（10）的表面倾斜于所述电流阻挡层（30）的侧壁，从所述块状区（31）至所述条状区（32）的方向上，所述电流阻挡层（30）在垂直于所述衬底（10）方向上的厚度线性减小；以所述块状区（31）的远离所述条状区（32）的端点O为原点，以所述条状区（32）的延伸方向为X轴，以所述电流阻挡层（30）的厚度方向为Y轴的直角坐标系中，所述电流阻挡层（30）在X轴上任意点的厚度采用以下公式确定：h=（L-d）×HL（1）式（1）中，h为所述电流阻挡层（30）在X轴上任意点的厚度，单位μm；L为所述电流阻挡层（30）在X轴方向上的最大长度，单位为μm；d为所述电流阻挡层（30）在X轴上任意点距离O点的间距，单位为μm；H为所述电流阻挡层（30）在Y轴方向上的最大长度，单位为μm。

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