恭喜华南师范大学田国获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南师范大学申请的专利一种铁电拓扑畴结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210407875.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种铁电拓扑畴结构及其制备方法是由田国;义鑫;高兴森设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电拓扑畴结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铁电拓扑畴结构的制备方法，其包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在001方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：在步骤S1制得的SRO底电极表面铺展单层PS小球作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到SRO纳米点阵列底电极；S3：选择BFO靶材，采用脉冲激光沉积法在步骤S2制得的SRO纳米点阵列底电极上沉积一层菱方相的BFO薄膜形成纳米点阵列，其为面外具有“十字形”缓冲畴的中心型拓扑畴结构，并且面内具有一个相反衬度的条带畴。本发明制得的铁电拓扑畴结构具有高密度、有序排列、调控方便等优势。
本发明授权一种铁电拓扑畴结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电拓扑畴结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在001方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：在步骤S1制得的SRO底电极表面铺展单层PS小球作为掩模板，再用氧等离子体刻蚀处理，然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀，最后去除残留的单层PS小球掩模板，得到SRO纳米点阵列底电极；S3：选择BFO靶材，采用脉冲激光沉积法在步骤S2制得的SRO纳米点阵列底电极上沉积一层菱方相的BFO薄膜形成纳米点阵列，其为中心型拓扑畴结构。
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