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龙图腾网恭喜深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利氮化镓器件的陷阱参数测量方法、装置及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115877160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211456884.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权氮化镓器件的陷阱参数测量方法、装置及介质是由吴龙江设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓器件的陷阱参数测量方法、装置及介质在说明书摘要公布了：本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种氮化镓器件的缺陷参数测量方法、装置及介质。缺陷参数测量方法包括：在每个第一测量周期的第一阶段向栅极与源极之间施加第一时长的第一电压；在第二阶段向漏极与源极之间施加第二时长的第二电压；在每个第二阶段结束时确定每个第一测量周期的第四漏电流；基于N个第一时长和第四漏电流确定目标时长；基于M个第一电压和第四漏电流确定目标电压；在第二测量周期时，向栅极与源极之间施加目标时长的目标电压，并向漏极和源极之间施加第三电压，测量预设性能参数的值，并确定预设缺陷参数的值，从而能够在固定陷阱的充电状态后再对预设缺陷数的值进行测量，提高了测量氮化镓器件的缺陷参数的准确性。

本发明授权氮化镓器件的陷阱参数测量方法、装置及介质在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件的缺陷参数测量方法，其特征在于，包括：在每个第一测量周期的第一阶段向所述氮化镓器件的栅极与源极之间持续施加第一时长的第一电压；在每个所述第一测量周期的第二阶段向所述氮化镓器件的漏极与所述源极之间持续施加第二时长的第二电压；在每个所述第一测量周期的所述第二阶段结束时，测量所述源极的第一漏电流、所述栅极的第二漏电流以及所述氮化镓器件的衬底的第三漏电流，并基于所述第一漏电流、第二漏电流以及第三漏电流确定每个所述第一测量周期对应的所述氮化镓器件的第四漏电流；经过N个所述第一测量周期后，基于N个所述第一测量周期中每个第一测量周期对应的所述第一时长和所述第四漏电流，从N个所述第一测量周期各自对应的所述第一时长中确定目标时长；其中，N个所述第一测量周期中的不同第一测量周期对应的所述第一时长不同；经过M个所述第一测量周期后，基于M个所述第一测量周期中每个第一测量周期对应的所述第一电压和所述第四漏电流，从M个所述第一测量周期各自对应的所述第一电压中确定目标电压；其中，M个所述第一测量周期中的不同第一测量周期对应的所述第一电压不同；经过N+M个所述第一测量周期后，进行多个第二测量周期，在每个所述第二测量周期内，向所述栅极与所述源极之间持续施加所述目标时长的所述目标电压，并以第一频率向所述漏极和所述源极之间施加第三电压，且测量每个所述第二测量周期对应的所述氮化镓器件的预设性能参数的值；基于各个所述第二测量周期对应的所述预设性能参数的值，确定所述氮化镓器件的预设缺陷参数的值。

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