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龙图腾网恭喜上海交通大学申请的专利折弯冷却流道结构及TPMS拓扑优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115839261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211464584.9，技术领域涉及：F01D5/18；该发明授权折弯冷却流道结构及TPMS拓扑优化方法是由饶宇;尹超设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本折弯冷却流道结构及TPMS拓扑优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种折弯冷却流道结构及TPMS拓扑优化方法，包括：流道、流动折弯以及多孔结构；多个所述流道之间通过所述流动折弯连接，所述流道侧壁上设置所述多孔结构。本发明利用多孔结构提高折弯通道的传热并降低流阻，与当前的折弯冷却通道相比，获得显著提升的传热性能，并且流阻和压损更小。

本发明授权折弯冷却流道结构及TPMS拓扑优化方法在权利要求书中公布了：1.一种折弯冷却流道结构的TPMS拓扑优化方法，其特征在于，所述折弯冷却流道结构，包括：第一流道21、第二流道22、第三流道23、第一流动折弯31、第二流动折弯32、第一多孔结构41以及第二多孔结构42；所述第一流道21和所述第二流道22之间通过所述第一流动折弯31连通，所述第二流道22和所述第三流道23之间通过所述第二流动折弯32连通；所述第一多孔结构41设置在所述第二流道22内侧壁上，所述第二多孔结构42设置在所述第三流道23内侧壁上；所述第一多孔结构41靠近所述第二流道22连接所述第一流动折弯31一端的宽度为0.3-0.5倍的第二流道22宽度；所述第一多孔结构41靠近所述第二流道22连接所述第二流动折弯32一端的宽度为0.1-0.3倍的第二流道22宽度；所述第一多孔结构41长度为所述第二流道22长度的0.5-1.0倍；所述第一多孔结构41和所述第二多孔结构42采用三重周期最小表面晶格结构TPMS；所述方法包括以下步骤：步骤S1，通过拓扑优化生成具有中间值的多孔区域；步骤S2，将TPMS填充至所述多孔区域；TPMS的壁厚与具有中间值的多孔区域的优化设计变量γ相关联，关系式为：t＝t_min+γ×t_max-t_minγ_max-γ_min；其中，t是TPMS的壁厚，t_max是可实现的最大加工厚度，t_min是可实现的最小加工厚度；γ_max是优化设计变量γ的最大值，γ_min是优化设计变量γ的最小值；γ值在0-1.0之间；当γ＝0，代表固体；γ＝1.0，代表流体，γ值在0-1.0之间时，介质为多孔材料。

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