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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利基于全二维材料的室温全电控磁存储单元及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115942755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211512938.2，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权基于全二维材料的室温全电控磁存储单元及存储器是由王开友;朱文凯;林海龙;兰修凯设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于全二维材料的室温全电控磁存储单元及存储器在说明书摘要公布了：提供一种基于全二维材料的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的强自旋轨道耦合范德华层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；强自旋轨道耦合范德华层由具有低对称性晶体结构的强自旋轨道耦合二维材料构成，在施加电信号时产生面外极化的自旋流，驱动室温范德华磁性自由层实现定向无外磁场纯电控翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向通过电信号极性控制；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性变化。还提供一种磁存储器。

本发明授权基于全二维材料的室温全电控磁存储单元及存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于全二维材料的室温全电控磁存储单元，包括：自下而上堆叠设置的强自旋轨道耦合范德华层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；其中，所述强自旋轨道耦合范德华层由具有低对称性晶体结构的强自旋轨道耦合的二维材料构成，在施加电信号时，所述强自旋轨道耦合范德华层产生面外极化的自旋流，极化方向与输入的电信号极性相关，面外极化的自旋流用于驱动室温范德华磁性自由层实现定向无外磁场纯电控翻转；所述室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向通过输入强自旋轨道耦合范德华层的电信号极性控制；所述范德华空间层由具有半导体带隙和电阻率的二维范德华材料构成，或由具有绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；以及所述室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随强自旋轨道耦合范德华层输入电信号极性的变化而变化。

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