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龙图腾网恭喜宁波大学申请的专利一种太阳能吸收材料Sb₂Se₃薄膜最佳退火温度的确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211570822.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种太阳能吸收材料Sb₂Se₃薄膜最佳退火温度的确定方法是由王莹莹;宋宝安;刘欣丽;郑加成;翁月飞设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能吸收材料Sb₂Se₃薄膜最佳退火温度的确定方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能吸收材料Sb2Se3薄膜最佳退火温度的确定方法，在Tg结晶温度以上，以50℃为增量值，选择多个温度对薄膜进行退火处理，通过分析XRD衍射图谱，计算不同退火温度下Sb2Se3薄膜样品120、211和221方向上衍射峰的半高宽、晶粒尺寸、微应变以及位错密度，确定Sb2Se3薄膜最佳退火温度的温度区间及其中间值，并进一步确定Sb2Se3薄膜的最佳退火温度。本发明方法只需要测试薄膜XRD衍射图谱，不需要其它额外测试，简单方便，具有更科学、更精确、更直观的优点，填补了关于如何确定薄膜最佳退火温度的技术空白，为Sb2Se3薄膜在太阳能领域的应用提供了有用的指导。

本发明授权一种太阳能吸收材料Sb₂Se₃薄膜最佳退火温度的确定方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能吸收材料Sb2Se3薄膜最佳退火温度的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：1、Sb2Se3薄膜的结晶温度为Tg＝200℃，将Sb2Se3薄膜分别在Tg、Tg+50℃、Tg+100℃、Tg+150℃、Tg+200℃温度下退火处理1小时，得到5个不同的Sb2Se3薄膜样品；2、分别利用X射线衍射仪得到步骤1中5个不同的Sb2Se3薄膜样品的XRD衍射图，分别计算这5个不同的Sb2Se3薄膜样品120、211和221方向上衍射峰的半高宽、晶粒尺寸、微应变以及位错密度，其中：衍射峰的半高宽与衍射峰的强度成反比，衍射峰的半高宽越小则衍射峰的强度越大，衍射峰的半高宽使用JADE软件分析得到；晶粒尺寸是晶粒生长大小的衡量指标，晶粒尺寸越大则晶粒生长状况越好，晶粒尺寸的计算方法如下： 其中，D是晶粒尺寸，λ是X射线波长，θ是衍射角，β是2θ处的衍射峰的半高宽；通过退火，Sb2Se3薄膜会产生晶格应变，应变值越小则结晶质量越好，应变值ε的计算方法如下： 位错密度是由于晶格偏离其参考位而产生的缺陷，位错密度越小则薄膜缺陷越小，位错密度δ的计算方法如下： 3根据步骤2的计算结果，筛选5个不同退火温度中抑制120方向的晶粒取向并增强211和221方向的晶粒取向的效果相对较好的2个退火温度，记为第一退火温度和第二退火温度；4、确定Sb2Se3薄膜最佳退火温度的温度区间，该温度区间以步骤3确定的第一退火温度和第二退火温度为区间端点，该温度区间即为Sb2Se3薄膜的最佳退火温度范围，取该温度区间的中间值，记为第三退火温度；另取未经退火的Sb2Se3薄膜，在第三退火温度下退火处理1小时，得到第三退火Sb2Se3薄膜样品；5按照步骤2的方法计算得到第三退火Sb2Se3薄膜样品120、211和221方向上衍射峰的半高宽、晶粒尺寸、微应变以及位错密度，比较第一退火温度、第二退火温度和第三退火温度下得到的Sb2Se3薄膜样品120、211和221方向上衍射峰的半高宽、晶粒尺寸、微应变以及位错密度，以211和221方向上衍射峰的半高宽最小、晶粒尺寸最大、应变值最小、位错密度最小以及120方向上衍射峰的半高宽最大、晶粒尺寸最小、应变值最大、位错密度最大的退火温度作为Sb2Se3薄膜的最佳退火温度。

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