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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310174767.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由曹新满设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决接触结构接触电阻大的技术问题，该制备方法包括提供基底；在基底的阵列区和隔离区形成目标层；对目标层进行图形化处理，在隔离区形成第一图形；在阵列区和隔离区形成覆盖目标层和第一图形的第一掩膜层；图形化阵列区的第一掩膜层，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀阵列区的目标层，以在阵列区形成第二图形；其中，第一图形的特征尺寸大于第二图形的特征尺寸；在隔离区形成暴露第一图形的第二沟槽，在第二沟槽中形成与第一图形接触连接的第一接触结构，且第一接触结构的特征尺寸不大于第一图形的特征尺寸。本申请能够减小第一接触结构的接触电阻。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有阵列区、隔离区和外围电路区，所述隔离区位于所述阵列区和所述外围电路区之间；在所述阵列区和所述隔离区上形成目标层；对所述隔离区的所述目标层进行图形化处理，在所述隔离区形成多个沿第一方向间隔排布的第一图形，所述第一图形沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相互垂直；在所述阵列区和所述隔离区上形成覆盖所述目标层和所述第一图形的第一掩膜层；图形化所述阵列区的所述第一掩膜层，在所述阵列区的所述第一掩膜层中形成第一沟槽，并沿所述第一沟槽刻蚀所述目标层，以使所述阵列区的所述目标层形成多个沿所述第一方向间隔排布的第二图形，所述第二图形沿所述第二方向延伸，在所述第二方向上，所述第一图形和与其在同一延伸方向上的所述第二图形接触连接；其中，所述第一图形在所述第一方向上的特征尺寸大于所述第二图形在所述第一方向上的特征尺寸；图形化所述隔离区的所述第一掩膜层，并以图形化的所述第一掩膜层为掩膜，在所述隔离区形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出所述第一图形；在所述第二沟槽中形成与所述第一图形接触连接的第一接触结构；其中，所述第一接触结构在所述第一方向上的特征尺寸不大于所述第一图形在所述第一方向上的特征尺寸。

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