恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司叶如彬获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510165658.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法是由叶如彬;范光伟;田宁;吕翌晟设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法，该边缘环组件包含：环本体；第一电极，其设置于所述环本体内部；第二电极，其设置于所述环本体内部，所述第二电极位于所述第一电极下方并与其电连接，所述第二电极还与外部的第一功率源连接，所述第一电极与所述第二电极之间具有至少两个电连接点。其优点是：该边缘环组件通过沿周向分布的第二电极提高第一电极上射频功率分布的均匀性，以使第一电极形成更均匀的电场环境，有助于提高聚焦环耦合的功率电压的均匀性，进而提升聚焦环上方鞘层厚度的均匀性，保证晶圆处理的均匀性。
本发明授权一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种边缘环组件，其特征在于，包含：环本体；第一电极，其设置于所述环本体内部；第二电极，其完全设置于所述环本体内部，所述第二电极位于所述第一电极下方并与其电连接，所述第二电极还与外部的第一功率源连接，可形成沿周向分布的电场，所述第一电极与所述第二电极之间具有至少两个电连接点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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