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龙图腾网恭喜上海壁仞科技股份有限公司申请的专利芯片失效分析方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510175772.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权芯片失效分析方法、装置及电子设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片失效分析方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片失效分析方法、装置及电子设备。所述方法包括：提供具有失效点的堆叠封装芯片；堆叠封装芯片包括基板以及设置在基板上的器件层；对堆叠封装芯片的正面和背面分别进行热点定位，得到针对失效点的热点定位结果；其中，正面为形成有器件层的一面，背面与正面相对；基于热点定位结果从背面开始减薄基板，并在减薄过程中进行失效复现处理，直至确定出失效点在堆叠封装芯片中的位置信息。本发明可以提高失效分析成功率。

本发明授权芯片失效分析方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：提供具有失效点的堆叠封装芯片；所述堆叠封装芯片包括基板以及设置在所述基板上的器件层；对所述堆叠封装芯片的正面和背面分别进行热点定位，得到针对所述失效点的热点定位结果；其中，所述正面为形成有所述器件层的一面，所述背面与所述正面相对；基于所述热点定位结果从所述背面开始减薄所述基板，并在减薄过程中进行失效复现处理，直至确定出所述失效点在所述堆叠封装芯片中的位置信息；所述失效复现处理包括在每个停止层的基板孔或金属线上复现所述失效点的失效数据；所述热点定位结果包含通过热点定位得到的热点区域，所述热点定位结果包括表示所述失效点位于所述堆叠封装芯片的下部分区域中的第一定位结果，以及表示所述失效点位于所述堆叠封装芯片的上部分区域中的第二定位结果；基于所述热点定位结果从所述背面开始减薄所述基板，包括：基于所述第一定位结果，采用第一研磨工艺研磨所述基板；所述第一研磨工艺包括逐层研磨所述基板；基于所述第二定位结果，采用第二研磨工艺研磨所述基板；所述第二研磨工艺包括根据基板设计结构研磨至与所述失效点相关的基板层；所述在减薄过程中进行失效复现处理，直至确定出所述失效点在所述堆叠封装芯片中的位置信息，包括：在减薄所述基板至露出所述器件层的过程中，若基于所述失效复现处理确定所述基板不存在对应所述热点区域的异常位置，则对露出所述器件层的所述堆叠封装芯片进行针对所述热点区域的定位处理，得到对应所述热点区域的异常位置，并基于所述异常位置获得所述失效点的位置信息；所述异常位置包括对应电性失效的异常物理位置；其中，所述对露出所述器件层的所述堆叠封装芯片进行针对所述热点区域的定位处理，得到对应所述热点区域的异常位置，包括：分别对所述热点区域和对应的晶粒进行X射线扫描，确认失效关系；所述失效关系表示所述失效点与所述异常位置之间的对应关系；基于所述失效关系对所述堆叠封装芯片进行切割，得到所述异常位置；分别对所述热点区域和对应的晶粒进行X射线扫描，确认失效关系，包括：在采用X射线在3D模式下对所述热点区域的中心附近区域进行扫描，得到失效信息的情况下，采用X射线在2D模式下对所述晶粒进行扫描，得到整体结构信息；根据封装设计数据、所述整体结构信息以及所述失效信息，确认失效位置，以基于所述失效位置确定所述失效关系。

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