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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种引发式分子层沉积方法及区域选择性沉积调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510206622.8，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种引发式分子层沉积方法及区域选择性沉积调控方法是由赵俊杰;黄晓程;蔡蓬哲;刘德龙;沈沅灏;杜伟伟设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种引发式分子层沉积方法及区域选择性沉积调控方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种引发式分子层沉积方法及区域选择性沉积调控方法。该引发式分子层沉积方法包括如下步骤：表面激活：将基板置于反应腔体中，利用等离子体在基板表面形成反应位点；沉积：向反应腔体中通入单体，单体与反应位点作用并在基板表面沉积形成膜层；其中，单体包括第一类单体和第二类单体，所述第一类单体的活性基团包括至少一个双键，第二类单体包括不含乙烯基的硅氧烷类单体和不含乙烯基的硅氮烷类单体；依次重复表面激活、沉积步骤直至获得目标厚度的薄膜。本申请的引发式分子层沉积方法通过多次制备膜层，实现了薄膜厚度的高精度控制，且适用于多种单体，工艺简单，兼容性高。

本发明授权一种引发式分子层沉积方法及区域选择性沉积调控方法在权利要求书中公布了：1.一种区域选择性沉积调控方法，其特征在于，包括：表面激活：将基板置于反应腔体中，利用等离子体在所述基板表面形成反应位点；其中，所述基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面的材质为过渡金属或过渡金属氧化物，所述第二表面的材质为非过渡金属或非过渡金属氧化物；沉积：向所述反应腔体中通入单体，所述单体与所述反应位点作用并在所述基板表面沉积形成膜层；其中，所述单体包括第一类单体和第二类单体，所述第一类单体的活性基团包括至少一个双键，所述第二类单体包括不含乙烯基的硅氧烷类单体和不含乙烯基的硅氮烷类单体；刻蚀：刻蚀去除所述第一表面的膜层；所述第一表面的刻蚀速率大于所述第二表面的刻蚀速率；依次重复所述表面激活、所述沉积和所述刻蚀的步骤直至在所述第二表面获得目标厚度的聚合物薄膜或无机薄膜。

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