恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111986995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910436383.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2019-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括上拉晶体管区，在所述衬底上形成第一芯层；在所述第一芯层上形成分立排布的第二芯层；在所述第二芯层的侧壁上形成第一牺牲侧墙；在所述上拉晶体管区的相邻所述第一牺牲侧墙之间形成有间隙；去除所述第二芯层，并以所述第一牺牲侧墙为掩膜，刻蚀所述第一芯层，直至暴露出所述衬底；在所述间隙内填充满介电层；利用本发明的方法形成的半导体器件具有稳定的使用性能，能够保证形成图形的准确性，工艺过程得到简化。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括上拉晶体管区，在所述衬底上形成第一芯层；在所述第一芯层上形成分立排布的第二芯层；在所述第二芯层的侧壁上形成第一牺牲侧墙，所述第二芯层的宽度大于所述第一牺牲侧墙的宽度；在所述上拉晶体管区的相邻所述第一牺牲侧墙之间形成有间隙；去除所述第二芯层后，以所述第一牺牲侧墙为掩膜，刻蚀所述第一芯层，直至暴露出所述衬底，所述间隙传递到所述上拉晶体管区的相邻刻蚀后的所述第一芯层之间；去除所述第一牺牲侧墙；在所述上拉晶体管区的相邻刻蚀后的所述第一芯层之间的所述间隙内填充满介电层；在填充满所述介电层之后，还包括：在刻蚀后的所述第一芯层的侧壁上形成第二牺牲侧墙；去除刻蚀后的所述第一芯层以及所述介电层；以所述第二牺牲侧墙为掩膜，刻蚀部分厚度的所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；去除所述第二牺牲侧墙。
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