恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112017962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910459875.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2019-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成栅极结构，栅极结构下方的基底用于作为沟道区；在栅极结构两侧的基底中形成沟槽；在沟槽底部靠近沟道区的位置处以及沟道区下方的基底中形成掺杂区，掺杂区中含有第二型离子，第二型离子与第一型晶体管的掺杂离子类型不同；形成掺杂区后，在沟槽中形成源漏掺杂层。本发明实施例掺杂区使得源漏掺杂层中的掺杂离子不易向沟道区下方扩散，从而源漏掺杂层中源极和漏极保持较远的间隔，且在半导体结构工作时，掺杂区使得源漏掺杂层的耗尽层不易扩展，从而使得源漏掺杂层中漏极引入的势垒不易降低以及亚阈值摆幅不易提高，进而降低短沟道效应，提高了半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，用于形成第一型晶体管，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构下方的所述基底用于作为沟道区；在所述栅极结构两侧的所述基底中形成沟槽，所述沟槽从鳍部的顶部延伸至鳍部的底部；在所述沟槽底部靠近所述沟道区的位置处以及所述沟道区下方的基底中形成掺杂区，所述掺杂区成片的位于两个沟槽之间，且所述掺杂区的顶部和鳍部的顶部间隔设置，所述掺杂区中含有第二型离子，所述第二型离子与第一型晶体管的掺杂离子类型不同；形成所述掺杂区后，在所述沟槽中形成源漏掺杂层，且所述掺杂区位于所述栅极结构两侧的所述源漏掺杂层之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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