恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林毓超获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成晶片和形成集成晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910512108.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权集成晶片和形成集成晶片的方法是由林毓超;陈瑞铭;余绍铭;李东颖;陈佑昇设计研发完成，并于2019-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成晶片和形成集成晶片的方法在说明书摘要公布了：在一些实施方式中，本揭示内容关于一种集成晶片，其包括设置在底部电极之上的相变材料，并且相变材料配置为当温度变化时从晶质结构变为非晶质结构。顶部电极设置在相变材料的上表面之上。硬遮罩在该顶部电极上方。通孔电性接触顶部电极的顶表面。此外，相变材料的上表面的最大宽度小于相变材料的底表面的最大宽度。其中硬遮罩的底表面直接地接触顶部电极的顶表面，并且其中硬遮罩的底表面窄于顶部电极的顶表面。
本发明授权集成晶片和形成集成晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成晶片，其特征在于，包含：一相变材料，设置在一底部电极之上并配置为当温度变化时从晶质结构变为非晶质结构；一顶部电极，设置在该相变材料的一上表面之上；一硬遮罩，在该顶部电极上方；一通孔，电性接触该顶部电极的一顶表面；以及一聚合物涂层，在该相变材料的一外侧壁上、在该顶部电极的一外侧壁上、和在该硬遮罩层的一外侧壁和该顶表面上，其中该聚合物涂层的厚度不大于3纳米；其中，该相变材料的该上表面的一最大宽度小于该相变材料的一底表面的一最大宽度，其中该硬遮罩的一底表面直接地接触该顶部电极的该顶表面；和其中该硬遮罩的该底表面窄于该顶部电极的该顶表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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