恭喜中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司卢健平获国家专利权
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龙图腾网恭喜中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利双面减薄的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110860998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911252063.5，技术领域涉及：B24B37/08；该发明授权双面减薄的装置和方法是由卢健平设计研发完成，并于2019-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本双面减薄的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了双面减薄的装置和方法，装置包括：环状保持器，所述环状保持器包括承载环和静压环，所述承载环沿径向支撑加工工件的外周侧，通过所述承载环带动加工工件在竖直方向上转动，所述静压环沿着径向固定设置在承载环的外周侧；两个静压垫，分别为第一静压垫和第二静压垫，所述两个静压垫分别对称地设置在环状保持器的两侧；进击轴，所述进击轴设置在静压垫的下部开孔处，沿着轴向移动，所述进击轴上的砂轮通过开孔直接研磨加工工件，所述第一静压垫与第二静压垫的间距为D0+130～D0+150微米。由此，采用该装置可相对地提升生产的稳定性，降低机台调试的频率。
本发明授权双面减薄的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种双面减薄的装置，包括：环状保持器，所述环状保持器包括承载环和静压环，所述承载环沿径向支撑加工工件的外周侧，通过所述承载环带动加工工件在竖直方向沿轴向转动，所述静压环沿着径向固定设置在承载环的外周侧，两个静压垫，分别为第一静压垫和第二静压垫，所述两个静压垫分别对称地设置在环状保持器的两侧，进击轴，所述进击轴设置在所述静压垫的下部开孔处，沿着轴向移动，所述进击轴上的砂轮通过开孔直接研磨加工工件，其特征在于，静压环偏摆量为40～50微米，所述静压垫表面平面度30微米以下，所述第一静压垫与第二静压垫的间距为D0+130～D0+150微米，其中D0为加工工件初始厚度，单位为微米。
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