恭喜中国人民解放军国防科技大学刘东青获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种耐高温选择性发射红外隐身材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111208589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911369557.1，技术领域涉及：G02B5/08；该发明授权一种耐高温选择性发射红外隐身材料及其制备方法是由刘东青;彭亮;程海峰设计研发完成，并于2019-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐高温选择性发射红外隐身材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种耐高温选择性发射红外隐身材料，为层状结构，依次包括基底层、金属层和氮化硅层；所述金属层的厚度为50nm‑1000nm；所述氮化硅层的厚度为1.2μm‑1.8μm。该红外隐身材料的制备方法：1将基底材料清洗、干燥；2采用磁控溅射法、化学气相沉积法或原子层沉积法将金属材料沉积在基底上，形成金属层；3再采用磁控溅射法或化学气相沉积法将氮化硅沉积在金属层表面，完成红外隐身材料的制备。本发明的选择性发射红外隐身材料，通过对金属层和氮化硅层的厚度优化，兼顾了低发射率与辐射散热的要求，对更好的实现红外隐身具有重要的意义。
本发明授权一种耐高温选择性发射红外隐身材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高温选择性发射红外隐身材料，其特征在于，所述红外隐身材料为层状结构，依次为基底层、金属层和氮化硅层；所述金属层的厚度为50nm-1000nm；所述氮化硅层的厚度为1.2μm-1.8μm；所述金属层的材料为铝、不锈钢、钨和铜中的任一种；该红外隐身材料在室温至1000℃范围内，3.0μm～5.0μm红外窗口波段低发射率，其发射率在0.20以下，在5.0μm～20.0μm非窗口波段高发射率，发射率达0.70以上。
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