恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘欢获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911380367.X，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘欢设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介电层；形成贯穿所述介电层的导电通孔；在所述导电通孔中形成导电插塞；在所述介电层上形成保护层，所述保护层覆盖所述导电插塞；在所述保护层和介电层中形成对准沟槽，所述对准沟槽与所述导电插塞相隔离；形成所述对准沟槽后，去除所述保护层，露出所述导电插塞的顶部；去除所述保护层后，在所述导电插塞上形成磁性隧道结叠层结构。本发明实施例形成的保护层能够对导电插塞起到保护的作用，从而防止导电插塞被氧化而形成金属氧化物，进而有利于使所述MTJ叠层结构与导电插塞直接接触，相应有利于提升MTJ叠层结构与导电插塞的接触性能，MRAM器件的性能也得到了提升。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介电层；在所述介电层上形成刻蚀停止层；形成贯穿所述刻蚀停止层和介电层的导电通孔；在所述导电通孔中形成导电插塞；在所述刻蚀停止层上形成保护层，所述保护层覆盖所述导电插塞，所述保护层的材料与所述介电层的材料相同，且所述保护层的材料与所述介电层的材料均为氧化硅；在所述保护层和介电层中形成对准沟槽，所述对准沟槽与所述导电插塞相隔离；形成所述对准沟槽后，以所述刻蚀停止层的顶面为停止位置，去除所述保护层，露出所述导电插塞的顶部；去除所述保护层后，在所述导电插塞上形成磁性隧道结叠层结构，所述磁性隧道结叠层结构覆盖所述导电插塞侧部的部分刻蚀停止层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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