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龙图腾网恭喜西北工业大学;西安西测测试技术股份有限公司申请的专利一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119862620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510353802.9，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法是由苏昱太;周圳锐;李泽新设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法，属于电子封装及可靠性分析技术领域，方法包括：通过获取多芯片CCGA封装结构的几何和材料参数建立有限元分析模型；设定非均匀工况条件并施加边界条件及约束，经热循环加载分析获取焊柱的非均匀分布热应力；提取关键数据，利用Coffin‑Manson热疲劳模型计算焊柱疲劳寿命并确定寿命矩阵；基于热疲劳模型和线性积累损伤理论计算焊柱损伤量并获取损伤矩阵；根据损伤矩阵判定焊柱失效并获得风险等级矩阵。该方法可根据实际工况在设计与早期验证阶段快速准确评估多芯片耦合场景下焊柱的应力分布与失效机理，为高可靠性电子产品研发提供科学支撑。

本发明授权一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法，其特征在于，所述方法包括：S1：获取多芯片CCGA封装结构的几何参数和材料参数；S2：建立多芯片CCGA封装的有限元分析模型：基于所述几何参数建立所述多芯片CCGA封装结构的几何模型，并对所述几何模型添加材料参数，形成多芯片CCGA封装的有限元分析模型，其中，所述几何模型为自上而下顺序叠置的多个芯片、陶瓷基板、焊柱阵列和印刷电路板，所述多个芯片并排平铺在所述陶瓷基板上；S3：利用所述有限元分析模型，进行非均匀温度载荷下的耦合分析：对建好的所述有限元分析模型施加边界条件及约束，对不同芯片设定不同的工况温度条件，进行热循环加载条件下模拟并获取焊柱的热应力分布；S4：根据所述多芯片CCGA封装的有限元分析模型和所述焊柱在非均匀分布温度下的应力分布，提取关键数据，获取Coffin-Manson热疲劳模型的相关疲劳参数，并由Coffin-Manson热疲劳模型公式计算得到所述焊柱的疲劳寿命，确定多芯片CCGA封装焊柱疲劳参数寿命矩阵；S5：进行非均匀损伤的风险评估：基于所述Coffin-Manson热疲劳模型和线性积累损伤理论计算所述焊柱在非均匀分布热应力下的损伤量并获取多芯片CCGA封装焊柱损伤矩阵；根据所述多芯片CCGA封装焊柱损伤矩阵进行焊柱失效判定并获得多芯片CCGA封装焊柱的风险等级矩阵。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学;西安西测测试技术股份有限公司，其通讯地址为：710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。