恭喜应用材料公司孙世宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利水平全环栅和FinFET器件隔离获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110148577.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权水平全环栅和FinFET器件隔离是由孙世宇;N·吉田;T·K·加里尼;S·W·君;V·皮纳;E·A·C·桑切斯;B·哥伦毕尤;M·出德齐克;B·伍德;N·金设计研发完成，并于2016-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本水平全环栅和FinFET器件隔离在说明书摘要公布了：本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅hGAA隔离和鳍式场效应晶体管FinFET隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化超晶格结构的层中的至少一层以形成邻接基板的埋入式氧化物层。
本发明授权水平全环栅和FinFET器件隔离在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上形成超晶格结构，其中所述超晶格结构包括：含硅材料层；第一硅锗材料层，该第一硅锗材料层具有第一锗含量，其中所述含硅材料层和所述第一硅锗材料层以交替的堆叠布置设置在所述超晶格结构内；以及第二硅锗材料层，该第二硅锗材料层具有大于所述第一硅锗材料层的所述第一锗含量的第二锗含量，其中所述第二硅锗材料层设置在所述基板上；蚀刻所述超晶格结构；在所述超晶格结构上沉积衬层；在沉积所述衬层之后，在所述基板上沉积氧化物材料层；以及在沉积所述氧化物材料层之后氧化所述第二硅锗材料层，从而形成埋入式氧化物层，其中所述衬层选择性地防止所述含硅材料层和所述第一硅锗材料层的氧化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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