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恭喜中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司舒强获国家专利权

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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利掩膜版图形、半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113078048B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010010444.9,技术领域涉及:H01L21/027;该发明授权掩膜版图形、半导体结构及其形成方法是由舒强;张迎春;覃柳莎设计研发完成,并于2020-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

掩膜版图形、半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了:一种掩膜版图形、半导体结构及其形成方法,其中掩膜版图形包括:第一掩膜版图形,所述第一掩膜版图形包括若干第一目标图形,若干所述第一目标图形沿第一方向排列;第二掩膜版图形,所述第二掩膜版图形包括若干第二目标图形,若干所述第二目标图形沿第一方向排列;当所述第一掩膜版图形和所述第二掩膜版图形重合时,一个所述第一目标图形与一个所述第二目标图形部分重叠。所述掩膜版图形的图案密度较好。

本发明授权掩膜版图形、半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种掩膜版图形,其特征在于,包括:第一掩膜版图形,所述第一掩膜版图形包括若干第一目标图形,若干所述第一目标图形沿第一方向排列;第二掩膜版图形,所述第二掩膜版图形包括若干第二目标图形,若干所述第二目标图形沿第一方向排列;当所述第一掩膜版图形和所述第二掩膜版图形重合时,一个所述第一目标图形仅与一个所述第二目标图形部分重叠;沿第一方向上,相邻第一目标图形之间具有第一间距;沿第一方向上,所述第二目标图形与第一目标图形非重叠部分的尺寸小于第一间距;沿第一方向上,各所述第一目标图形具有第一尺寸;沿第一方向上,各所述第二目标图形具有第二尺寸;侧墙的厚度小于相邻所述第二目标图形与第一目标图形之间的距离;沿第一方向上,所述第二目标图形与第一目标图形重叠部分的尺寸占第一尺寸的比例范围为40%~60%,所述第二目标图形与第一目标图形非重叠部分的尺寸占第一间距的比例范围为40%~60%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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