恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵炳贵获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010922638.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵炳贵设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口；刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽。所述方法提高了器件的电学性能且简化了工艺，降低了成本。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构两侧且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；在所述栅极结构和层间介质层上形成掩膜层，所述掩膜层开设有第一开口，所述第一开口与所述源漏掺杂层对应且沿所述栅极结构的延伸方向延伸且连续；形成牺牲层，所述牺牲层填充部分所述第一开口；刻蚀未被所述牺牲层填充部分的所述第一开口对应的所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一沟槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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