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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利半导体器件封装组件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010923426.X，技术领域涉及：H01L23/15；该发明授权半导体器件封装组件及其制造方法是由林承園;金正大;全五燮设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件封装组件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明题为“半导体器件封装组件及其制造方法”。在一个整体方面，半导体器件封装件可包括管芯附接桨叶，该管芯附接桨叶具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。封装件还可包括与管芯附接桨叶的第一表面耦接的半导体管芯。封装件还可包括直接键合金属DBM衬底。DBM衬底可包括：陶瓷层，陶瓷层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一金属层，第一金属层设置在陶瓷层的第一表面上并且与管芯附接桨叶的第二表面耦接；以及第二金属层，第二金属层设置在陶瓷层的第二表面上。第二金属层可暴露于半导体器件封装件的外部。第二金属层可通过陶瓷层与第一金属层电隔离。

本发明授权半导体器件封装组件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件封装件，包括：管芯附接桨叶，所述管芯附接桨叶具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；半导体管芯，所述半导体管芯与所述管芯附接桨叶的所述第一表面耦接；和直接键合金属衬底，所述直接键合金属衬底包括：陶瓷层，所述陶瓷层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一金属层，所述第一金属层设置在所述陶瓷层的所述第一表面上并且与所述管芯附接桨叶的所述第二表面耦接；和第二金属层，所述第二金属层设置在所述陶瓷层的所述第二表面上并且暴露于所述半导体器件封装件的外部，所述第二金属层通过所述陶瓷层与所述第一金属层电隔离，所述管芯附接桨叶包括围绕所述管芯附接桨叶的周边的至少一部分延伸的突出部，使得所述管芯附接桨叶的台阶限定在所述突出部与所述直接键合金属衬底之间，所述突出部靠近所述管芯附接桨叶的所述第二表面，所述突出部的厚度小于所述管芯附接桨叶的所述第一表面和所述管芯附接桨叶的所述第二表面之间的所述管芯附接桨叶的厚度。

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